کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1648662 | 1007562 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Identification of atomic steps at AlSb/GaAs hetero-epitaxial interface using geometric phase method by high-resolution electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Geometric phase analysis (GPA) is applied to determining the strain fields in AlSb/GaAs hetero-epitaxial film from high-resolution electron microscopy (HREM) images. The misfit dislocations along the hetero-interface are shown to be predominantly 90° Lomer dislocations. The epitaxial film is almost fully relaxed by a high density of misfit dislocations. The 90° Lomer dislocations are assumed to be formed by either recombination of two 60° mixed misfit dislocations through a glide and climb process or direct nucleation at the interface. The atomic steps (ASs) are visualized in the strain map, providing a new method for identifying the ASs at the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issue 3, 15 February 2011, Pages 456–459
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issue 3, 15 February 2011, Pages 456–459
نویسندگان
X.Q. He, C. Wen, X.F. Duan, H. Chen,