کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1650052 | 1007596 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of calcium ion sensitive diamond field effect transistors (FETs) based on immobilized calmodulin
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have developed calcium (Ca2+) ion sensitive solution-gate field effect transistors (SGFETs) on polycrystalline diamond by using partial amination and immobilization of calmodulin (CaM), a specific protein to calcium ions. The CaM is covalently immobilized on functionalized diamond surface, and the functionalized surface was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy, respectively. Also, the high performance of the CaM-immobilized diamond SGFET for detecting Ca2+ were studied with respect to high selectivity and sensitivity in various concentrations and pH.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 64, Issue 21, 15 November 2010, Pages 2321–2324
Journal: Materials Letters - Volume 64, Issue 21, 15 November 2010, Pages 2321–2324
نویسندگان
Jung-Hoon Yang, Munenori Degawa, Kwang-Soup Song, Chunlei Wang, Hiroshi Kawarada,