کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1653867 | 1007675 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of filament temperature on HWCVD deposited a-SiC : H
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The filament temperature (TF) is determined to be a critical parameter for the deposition of HWCVD deposited a-SiC : H films. More carbon atoms are incorporated into the films in the favorable configurations and enhance the optical gap of the films. The changes in deposition rate, carbon content, optical gap and IR absorption of Si–C and C–Hn are demonstrated for a-SiC : H alloy films deposited with filament temperature ranging from 1650 to 2100 °C. The films were evaluated by absorption measurements in the visible region, Fourier-transform infrared spectroscopic measurements (FTIR), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectroscopy (RS) measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 24, October 2006, Pages 2915–2919
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 24, October 2006, Pages 2915–2919
نویسندگان
Bibhu P. Swain, Rajiv O. Dusane,