کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1657743 | 1517647 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of oxygen partial pressure on the electrical properties of the La0.5Sr0.5CoO3/Al-doped ZnO thin film heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of oxygen partial pressure on the electrical properties of the La0.5Sr0.5CoO3/Al-doped ZnO thin film heterojunctions Effect of oxygen partial pressure on the electrical properties of the La0.5Sr0.5CoO3/Al-doped ZnO thin film heterojunctions](/preview/png/1657743.png)
چکیده انگلیسی
⺠The p-type LSCO with n-type AZO diodes were obtained by r. f. magnetron sputter. ⺠The LSCO/AZO diodes have good contact between LSCO films with AZO films. ⺠The diodes showed rectifying behavior in the backward mode for all of the samples. ⺠The diode has the lowest resistance under Ar:O2 sputter gas ratio of 10:5 (sccm). ⺠The turn-on voltage is obtained around 1.5 V for all of the samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 231, 25 September 2013, Pages 293-296
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 231, 25 September 2013, Pages 293-296
نویسندگان
Shin Lee, Yi Hu,