کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1662299 | 1517696 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improving ALD growth rate via ligand basicity: Quantum chemical calculations on lanthanum precursors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
At the atomic scale, the success of atomic layer deposition (ALD) depends on the efficient elimination of precursor ligands from the surface of the growing film. For the ALD of high-k lanthanum oxide films, we consider alkoxide, cyclopentadienyl, β-diketonate and amide precursors, and use density functional theory to compute their reactivity with respect to ligand elimination during ALD with water vapour. The energetic data are correlated with electronic properties and steric demand, allowing recommendations for precursor design to be made. Ligands that are weaker Lewis bases than Brønsted bases are shown to be more successful as components of ALD precursors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22–23, 25 September 2007, Pages 9076–9081
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22–23, 25 September 2007, Pages 9076–9081
نویسندگان
Simon D. Elliott,