کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1677729 | 1518352 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determining polarity and dislocation core structures at atomic level for epitaxial AlN/(0Â 0Â 0Â 1)6H-SiC from a single image in HRTEM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Determining polarity and dislocation core structures at atomic level for epitaxial AlN/(0Â 0Â 0Â 1)6H-SiC from a single image in HRTEM Determining polarity and dislocation core structures at atomic level for epitaxial AlN/(0Â 0Â 0Â 1)6H-SiC from a single image in HRTEM](/preview/png/1677729.png)
چکیده انگلیسی
⺠A method proposed for determining polarity and defect core structure of AlN. ⺠The polarity and dislocation core structures were determined from a single image. ⺠Al and N atomic columns of spacing 0.109 nm were distinguished. ⺠Atomic configurations of 10- and 12-atom ring were derived at atomic level. ⺠The method is valid for other binary semiconducting compounds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 126, March 2013, Pages 77-84
Journal: Ultramicroscopy - Volume 126, March 2013, Pages 77-84
نویسندگان
Y.X. Cui, Y.M. Wang, C. Wen, B.H. Ge, F.H. Li, Y. Chen, H. Chen,