کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1678626 | 1009950 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Response analysis for identifying the origin of photo-modulated current contrasts in scanning tunneling microscopic imaging semiconductor surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Inhomogeneities in semiconductor solids can be imaged by two-dimensional mapping of the amplitude of periodically modulated tip current in scanning tunneling microscopy that is induced by illumination of semiconductor samples with a chopped light. It has been shown that it is possible to distinguish between plural origins of the photo-modulated current by analyzing the response properties of the current signal. A judicial choice of the modulation frequency is important for the required contrasts to be obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 107, Issue 8, August 2007, Pages 568-574
Journal: Ultramicroscopy - Volume 107, Issue 8, August 2007, Pages 568-574
نویسندگان
Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yukinobu Hayashida, Koji Maeda,