کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1678816 | 1518368 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of defects in microcrystalline islands in amorphous silicon films with a Scanning Charge-Transient Microscope
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In contrast to earlier investigations of defects in micron-sized field effect transistors, the sensitivity of the instrument makes it possible to investigate the defects in simple capacitors without the need to make use of the gain of the transistor. Thus, it can be combined with a scanning force or tunnelling microscope and perform local analysis of selected areas of the sample.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 107, Issues 10â11, October 2007, Pages 963-968
Journal: Ultramicroscopy - Volume 107, Issues 10â11, October 2007, Pages 963-968
نویسندگان
Å . Lányi, V. Nádaždy,