کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1679049 1518372 2006 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterizing probe performance in the aberration corrected STEM
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Characterizing probe performance in the aberration corrected STEM
چکیده انگلیسی
Sub-Ångstrom imaging using the 120 kV IBM STEM is now routine if the probe optics is carefully controlled and fully characterized. However, multislice simulation using at least a frozen phonon approximation is required to understand the Annular Dark Field image contrast. Analysis of silicon dumbbell structures in the [1 1 0] and [2 1 1] projections illustrate this finding. Using fast image acquisition, atomic movement appears ubiquitous under the electron beam, and may be useful to illuminate atomic level processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 106, Issues 11–12, October–November 2006, Pages 1104-1114
نویسندگان
,