کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1680763 | 1518735 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
C-V and DLTS studies of radiation induced Si-SiO2 interface defects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Interface traps at the Si-SiO2 interface have been and will be an important performance limit in many (future) semiconductor devices. In this paper, we present a study of fast neutron radiation induced changes in the density of Si-SiO2 interface-related defects. Interface related defects (Pb centers) are detected before and upon the irradiation. The density of interface-related defects is increasing with the fast neutron fluence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 282, 1 July 2012, Pages 59-62
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 282, 1 July 2012, Pages 59-62
نویسندگان
I. Capan, V. Janicki, R. Jacimovic, B. Pivac,