کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1686508 | 1518763 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ analysis of Ga-ultrathin films by TOF-LEIS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the paper the ability of TOF-LEIS to monitor the growth of ultrathin Ga layers in situ is presented. The FWHM of the Ga peaks in the TOF-LEIS spectra showed a linear dependence on Ga coverage. The analysis of the Ga growth on two Si(1Â 1Â 1) substrates cleaned in two distinct ways (chemical etching and UHV thermal flashing) revealed changes in the Si peak evolution caused by different growth modes taking place on these two substrates. This has been proved by ex situ AFM measurements as well.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 249, Issues 1â2, August 2006, Pages 318-321
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 249, Issues 1â2, August 2006, Pages 318-321
نویسندگان
M. KolÃbal, S. Průša, M. Plojhar, P. Bábor, M. PotoÄek, O. Tomanec, P. KostelnÃk, S.N. Markin, P. Bauer, T. Å ikola,