کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691845 | 1011343 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of deposition parameters on SiCln (n=0-2) densities in SiCl4 glow discharge plasma
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The relative densities of SiCln (n=0-2) in SiCl4 radio frequency (rf) glow discharge plasma are measured by mass spectrometry. The effects of discharge parameters, including rf power, discharge pressure, substrate temperature and SiCl4 flow rate on the relative densities of SiCln (n=0-2) are investigated in detail. The experimental results demonstrate that the relative densities of SiCln (n=0-2) in SiCl4 plasma are dependent strongly on these discharge parameters. An optimum configuration of discharge parameters (low rf power, high discharge pressure, low substrate temperature and low flow rate), which enhanced the formation of SiCln (n=0-2) radicals, was searched. Further, researching of SiCln (n=0-2) spatial distribution for seeking a suitable deposition condition is beneficial for understanding the deposition mechanism of thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 1, 12 September 2007, Pages 84-89
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 1, 12 September 2007, Pages 84-89
نویسندگان
Z.K. Wang, Y.H. Lou, K.X. Lin, X.Y. Lin,