کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
170762 | 458413 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth on porous GaAs substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates in fluoride-iodide aqueous electrolytes for the lattice mismatched epitaxial growth from the vapor phase. The aim is to gain control over the uniformity of the pore nucleation layer and pore branching below this layer to achieve structures with a high degree of porosity and periodicity while leaving minimum damage on the substrate surface. Layers of InxGa1-xAs with varying In content are grown on GaAs substrates with different pore geometries and depths. Substantial differences in the surface morphology and photoluminescence efficiency of the layers grown on porous and conventional substrates are observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Comptes Rendus Chimie - Volume 16, Issue 1, January 2013, Pages 59–64
Journal: Comptes Rendus Chimie - Volume 16, Issue 1, January 2013, Pages 59–64
نویسندگان
Jan Grym, Dušan Nohavica, Petar Gladkov, Eduard Hulicius, Jiří Pangrác, Kateřina Piksová,