دانلود مقالات ISI درباره جابجایی + ترجمه فارسی

علم سطح اساسی نیترید گالیم وورتزیت

The fundamental surface science of wurtzite gallium nitride

Keywords: جابجایی; 2D; Two-Dimensional; 2DEG; Two-Dimensional Electron Gas; 2DPS; Two-Dimensionally-Periodic Slab; 3D; Three-Dimensional; AES; Auger Electron Spectroscopy; AFM; Atomic Force Microscopy; ARUPS; Angle-Resolved Ultraviolet Photoemission Spectroscopy; B3LYP; Bec

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 169 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

بررسی ساختاری و اپتیکی رشد چاه های کوانتومی BInGaAs/GaAs توسط ساطع کننده MOVPE بالاتر از 1.1 ولت

Structural and optical study of BInGaAs/GaAs quantum wells grown by MOVPE emitting above 1.1 eV

Keywords: جابجایی; BInGaAs; HRXRD; MOVPE; PL; Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Atmospheric pressure-MOVPE growth of GaSb/GaAs quantum dots

Keywords: جابجایی; GaSb/GaAs; Quantum dots; MOVPE; Self-assembly; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Observation of the early stages of GaN thermal decomposition at 1200 °C under N2

Keywords: جابجایی; MOVPE; Decomposition; GaN; In situ-reflectance; SEM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Spontaneous superlattice structures in AlxGa1−xAs/GaAs (1 0 0) grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: جابجایی; Superlattice; Spontaneous ordering; MOVPE; AlxGa1−xAs; TEM; HRXRD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Large-area MoS2 deposition via MOVPE

Keywords: جابجایی; MOVPE; MOCVD; 2D materials; MoS2;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Optically excited THz generation from ordered arrays of GaAs nanowires

Keywords: جابجایی; Terahertz generation; THz; III-V semiconductors; NWs; nanowires; GaAs; light absorption; leaky mods; MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The influence of MOVPE growth conditions on the shell of core-shell GaN microrod structures

Keywords: جابجایی; Microrod; MOVPE; Gallium nitride; Growth kinetics; Core-shell; Tapering; Thickness gradient; Three-dimensional;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

InGaN/InGaN multiple-quantum-well grown on InGaN/GaN semi-bulk buffer for blue to cyan emission with improved optical emission and efficiency droop

Keywords: جابجایی; InGaN multi-quantum-well; InGaN buffer; LED; MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Emission wavelength red-shift by using “semi-bulk” InGaN buffer layer in InGaN/InGaN multiple-quantum-well

Keywords: جابجایی; InGaN multi-quantum-well; InGaN buffer; LED; MOVPE; Green-gap;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Development of InAlAsSb growth by MOVPE

Keywords: جابجایی; InAlAsSb; AlAsSb; MOVPE; Miscibility; Photovoltaics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Monolithic interconnected modules (MIM) for high irradiance photovoltaic energy conversion: A comprehensive review

Keywords: جابجایی; Monolithic interconnected module (MIM); Solar cell; Concentrator photovoltaics (CPV); Thermophotovoltaics (TPV); Laser power converter (LPC); III-V semiconductors; Dense array; Electrical interconnection; BPC; Back Point Contact; BSR; Back Surface Reflect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The influence of In composition on properties of InxGa1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE and in situ monitored by spectral reflectance

Keywords: جابجایی; InxGa1-xAs/GaAs structures; Structural quality; Atomic force microscopy; In situ spectral reflectance; MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of the substrate misorientation on the structural and optoelectronic characteristics of tensile GaInP quantum well laser diode wafer

Keywords: جابجایی; MOVPE; GaInP; AlInP; Laser diode; Misorientation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Strain study of GaAs/InxGa1 − xAs/GaAs structures grown by MOVPE

Keywords: جابجایی; GaAs/InxGa1 − xAs/GaAs structures; Strain effect; Valence-band splitting; Photoreflectance; MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate

Keywords: جابجایی; VECSEL; MOVPE; InGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

MOVPE growth and characterization of heteroepitaxial germanium on silicon using iBuGe as precursor

Keywords: جابجایی; Germanium; Epitaxy; Isobutyl germane; MOVPE; Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of GaAs substrate orientation on the growth kinetic of GaN layer grown by MOVPE

Keywords: جابجایی; High index GaAs; GaN; MOVPE; Anisotropy; Surface roughness;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures

Keywords: جابجایی; Quantum dot; Band alignment; InAs/GaAs; GaAsSb; MOVPE; Luminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Native oxides formation and surface wettability of epitaxial III-V materials: The case of InP and GaAs

Keywords: جابجایی; Hydrophobic surface; InP; GaAs; XPS; MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Development of GaN-based blue LEDs and metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and related materials

Keywords: جابجایی; GaN; MOVPE; MOCVD; Blue LEDs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Photoreflectance analysis of annealed vanadium-doped GaAs thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: جابجایی; Vanadium-doped GaAs; Thermal annealing; MOVPE; Photoreflectance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Green light emitting diode grown on thick strain-reduced GaN template

Keywords: جابجایی; Green light-emitting diode; MOVPE; GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Photoreflectance and photoluminescence study of localization effects in GaAsBi alloys

Keywords: جابجایی; GaAsBi; MOVPE; Photoreflectance; Photoluminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Fabrication and performance of 1.3-μm 10-Gb/s CWDM wafer-fused VCSELs grown by MOVPE

Keywords: جابجایی; MOVPE; Tunnel junction; Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium

Keywords: جابجایی; Quantum dots; TEGa; TMGa; MOVPE; MOCVD; Pyramidal quantum dots

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: جابجایی; MOVPE; InAs/GaAs MQD; GaAsSb SRL; RAS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of TMBi supply on low-temperature MOVPE growth behavior of GaN

Keywords: جابجایی; MOVPE; GaN; Bismuth; AFM and SEM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Subcell Debye behavior analysis of order-disorder effects in triple-junction InGaP-based photovoltaic solar cells

Keywords: جابجایی; FWHM; Full width at half-maximum; MOVPE; Metal organic vapor phase epitaxy; PL; Photoluminescence; PV; Photovoltaic.; Debye temperature; Disordered; Ordered; Photoluminescence; Photon-phonon coupling coefficient; Photovoltaic solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Photoreflectance study of GaN grown on SiN treated sapphire substrate by MOVPE

Keywords: جابجایی; GaN; MOVPE; SiN treatment; Photoreflectance; Exciton transition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Investigations of in situ reflectance of GaN layers grown by MOVPE on GaAs (0 0 1)

Keywords: جابجایی; MOVPE; GaN; GaAs substrate; Surface roughness; AFM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Metastable cubic zinc-blende III/V semiconductors: Growth and structural characteristics

Keywords: جابجایی; MOVPE; Metastable semiconductors; Dilute nitrides; Dilute bismides; TEM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Analysis of the core–shell interface between zinc-blende GaP and wurtzite ZnO

Keywords: جابجایی; Nanowires; Heterojunction; MOVPE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of growth temperature and GaAs substrate misorientation on the morphology of InAsBi nanoislands grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: جابجایی; InAsBi; Nanoislands; MOVPE; GaAs misorientations;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

A susceptor heating structure in MOVPE reactor by induction heating

Keywords: جابجایی; Induction heat; MOVPE; Finite element analysis; Temperature field

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Electrical characterization and DLTS analysis of a gold/n-type gallium nitride Schottky diode

Keywords: جابجایی; Nitrides; MOVPE; GaN; Schottky diode; DLTS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Impact of metal-organic vapor phase epitaxy environment on silicon bulk lifetime for III-V-on-Si multijunction solar cells

Keywords: جابجایی; III-V on silicon; Minority carrier lifetime; MOVPE; Heteroepitaxy; MJSC; Bottom subcell;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of GaN template thickness and morphology on AlxGa1−xN (0 < x < 0.2) growth by MOVPE

Keywords: جابجایی; AlGaN; MOVPE; Si/N treatment; X-ray diffraction; AFM; EDX;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Understanding phosphorus diffusion into silicon in a MOVPE environment for III-V on silicon solar cells

Keywords: جابجایی; Multi-junction solar cell; III-V on Si; MOVPE; Emitter formation; Phosphorus diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of scandium doped GaN by MOVPE

Keywords: جابجایی; MOVPE; GaN; Scandium; Reflectivity; HRXRD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Simulation of in situ reflectance-time during MOVPE of GaN on sapphire substrate

Keywords: جابجایی; In situ reflectivity; Surface roughness; Growth rate; GaN; MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Long-wavelength infrared photoluminescence from InGaSb/InAs quantum dots

Keywords: جابجایی; InGaSb; QD; MOVPE; LWIR;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Epitaxial growth on porous GaAs substrates

Keywords: جابجایی; Electrochemical etching; Porous semiconductors; Epitaxial growth; GaAs; MOVPE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

A performance assessment of type-II interband In0.5Ga0.5Sb QD photodetectors

Keywords: جابجایی; Photodetector; LWIR; QD; MOVPE; Type-II;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE

Keywords: جابجایی; ZnMgTe; MOVPE; Substrate temperature; Optical properties; Surface morphology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Optimization of growth parameters for MOVPE-grown GaSb and Ga1−xInxSb

Keywords: جابجایی; Photoluminescence; MOVPE; GaInSb; Triethylgallium; Atmospheric pressure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural, optical and dispersion characteristics of nanocrystalline GaN films prepared by MOVPE

Keywords: جابجایی; GaN; MOVPE; Optical dispersion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Semiconductor nanostructures engineering: Pyramidal quantum dots

Keywords: جابجایی; MOVPE; Quantum dots; Site-control; Epitaxy; III–V; Uniformity; Spectral purity; Entangled and single photons; Growth processes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Physical properties of highly uniform InGaAs pyramidal quantum dots with GaAs barriers: Fine structure splitting in pre-patterned substrates

Keywords: جابجایی; Site-controlled quantum dots; Fine structure splitting; Spectral purity; MOVPE; InGaAs dot; Small inhomogeneous broadening

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of GaAsBi MOVPE growth on (1 0 0) GaAs substrate under high Bi flow rate by high resolution X-ray diffraction

Keywords: جابجایی; GaAsBi; Bismuth; MOVPE; HRXRD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه