کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729323 | 1461417 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Green light emitting diode grown on thick strain-reduced GaN template
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Green light emitting diode grown on thick strain-reduced GaN template Green light emitting diode grown on thick strain-reduced GaN template](/preview/png/729323.png)
چکیده انگلیسی
We report a green light-emitting diode (LED) grown on thick strain-reduced GaN template. As the injection current changes from 20 mA to 120 mA, blue-shift of EL peak wavelength reduces from 9.3 nm for the LED on sapphire substrate to 6.8 nm for the LED grown on thick strain-reduced GaN template. Furthermore, the light output power and external quantum efficiency of the LED on thick strain-reduced GaN template are respectively 1.48 mW and 2.5% at the forward current of 20 mA, which is twice as much as the LED on sapphire substrate. In contrast, the reverse current is 2 μA lower than that of the LED on the sapphire at −8 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 29, January 2015, Pages 357–361
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 29, January 2015, Pages 357–361
نویسندگان
Jiankun Yang, Tongbo Wei, Qiang Hu, Ziqiang Huo, Baojuan Sun, Ruifei Duan, Junxi Wang,