کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1808648 | 1525169 | 2016 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures](/preview/png/1808648.png)
چکیده انگلیسی
We have experimentally demonstrated that the type I/type II transition of band structure of InAs QD with GaAsSb SRL does not depend only on the composition of the SRL, but also on other structure parameters, like QD size or intensity of electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 480, 1 January 2016, Pages 14-22
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 480, 1 January 2016, Pages 14-22
نویسندگان
A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. ZÃková, J. VyskoÄil, E. Hulicius,