کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7987698 | 1515414 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of GaN-based blue LEDs and metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and related materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Development of GaN-based blue LEDs and metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and related materials Development of GaN-based blue LEDs and metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and related materials](/preview/png/7987698.png)
چکیده انگلیسی
This article combines two papers, “Nobel Lecture: Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation,” Rev. Mod. Phys., 87 (2015) 1133, and “MOCVD of nitrides,” Handbook of Crystal Growth Second Edition, Volume III, Part A, Chapter 16, Elsevier, 683-704, 2015. For more detailed information, please read the two original papers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 62, Issue 2, June 2016, Pages 126-135
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 62, Issue 2, June 2016, Pages 126-135
نویسندگان
Hiroshi Amano,