کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1787283 | 1023436 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evidence of magnetic field quenching of phosphorous-doped silicon quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present data on the electrical transport properties of highly-doped silicon-on-insulator quantum dots under the effect of pulsed magnetic fields up to 48Â T. At low field intensities, BÂ <Â 7Â T, we observe a strong modification of the conductance due to the destruction of weak localization whereas at higher fields, where the magnetic field length becomes comparable to the effective Bohr radius of phosphorous in silicon, a strong decrease in conductance is demonstrated. Data in the high and low electric field bias regimes are then compared to show that close to the Coulomb blockade edge magnetically-induced quenching to single donors in the quantum dot is achieved at about 40Â T.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Supplement 1, 14 March 2014, Pages S115-S118
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Supplement 1, 14 March 2014, Pages S115-S118
نویسندگان
M.F. Gonzalez-Zalba, J. Galibert, F. Iacovella, D. Williams, T. Ferrus,