کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788707 | 1023477 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled fabrication of gallium nitride nano- and micro-wires by dielectrophoretic force and torque
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper demonstrates the manipulation of neutral dielectric wires with high aspect ratio by a pulsed electric field. Dielectrophoretic (DEP) force and torque were employed to align the randomly positioned GaN nano- and micro-wires. A simulation of the DEP force alignment process confirmed the experimentally observed dependence on alignment yield to frequency and bias of the electric field. Current-voltage measurements of the GaN micro-wires, aligned by DEP force and torque to pre-patterned metal contacts, confirms that the direct manipulation of micro-sized wire with an electric field oscillated at a frequency of 10Â kHz-5Â MHz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 2, March 2010, Pages 703-707
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 2, March 2010, Pages 703-707
نویسندگان
Jaehui Ahn, Geunwoo Ko, Jihyun Kim, Michael A. Mastro, Jennifer Hite, Charles R. Jr.,