کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790809 | 1524451 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy](/preview/png/1790809.png)
چکیده انگلیسی
⺠BaSi2 films were epitaxially grown on Si(111). ⺠Growth condition for BaSi2 template layers was optimized. ⺠Grain size of BaSi2 epitaxial layers exceeded 4 μm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 193-197
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 193-197
نویسندگان
M. Baba, K. Toh, K. Toko, K.O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, T. Suemasu,