کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790811 | 1524451 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠B-doped BaSi2 films were grown by molecular beam epitaxy. ⺠B-doped BaSi2 showed p-type conductivity. ⺠The hole concentration was controlled in the range between 1017 and 1019 cmâ3. ⺠The acceptor level was approximately 23 meV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 201-204
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 201-204
نویسندگان
M. Ajmal Khan, Kosuke O. Hara, Kotaro Nakamura, Weijie Du, Masakazu Baba, Katsuaki Toh, Mitsushi Suzuno, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu,