کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1790880 1524450 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal growth in LiGaSe2 for semiconductor radiation detection applications
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Crystal growth in LiGaSe2 for semiconductor radiation detection applications
چکیده انگلیسی
► Pure single crystals of LiGaSe2 have been grown with the vertical Bridgman method. ► Annealing in Li vapor improves optical and electrical properties. ► LiGaSe2 properties are sufficient for radiation detection applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 379, 15 September 2013, Pages 111-114
نویسندگان
, , , , , , , ,