کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790880 | 1524450 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal growth in LiGaSe2 for semiconductor radiation detection applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Pure single crystals of LiGaSe2 have been grown with the vertical Bridgman method. ⺠Annealing in Li vapor improves optical and electrical properties. ⺠LiGaSe2 properties are sufficient for radiation detection applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 379, 15 September 2013, Pages 111-114
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 379, 15 September 2013, Pages 111-114
نویسندگان
A.C. Stowe, J. Woodward, E. Tupitsyn, E. Rowe, B. Wiggins, L. Matei, P. Bhattacharya, A. Burger,