| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 1791340 | 1524467 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Melt growth, characterization and properties of bulk In2O3 single crystals
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠Truly bulk In2O3 single crystals were grown from the melt for the first time. ⺠Annealed crystals have electrical properties typical for semiconductors. ⺠Annealed crystals are transparent in the visible (from 440 nm) and IR spectra. ⺠The crystals are chemically stable at operating temperatures of epitaxial methods.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 362, 1 January 2013, Pages 349-352
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 362, 1 January 2013, Pages 349-352
نویسندگان
												Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, D. Schulz, D. Klimm, M. Albrecht, M. Pietsch, S. Ganschow, A. Kwasniewski, R. Fornari,