کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791340 | 1524467 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Melt growth, characterization and properties of bulk In2O3 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Truly bulk In2O3 single crystals were grown from the melt for the first time. ⺠Annealed crystals have electrical properties typical for semiconductors. ⺠Annealed crystals are transparent in the visible (from 440 nm) and IR spectra. ⺠The crystals are chemically stable at operating temperatures of epitaxial methods.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 362, 1 January 2013, Pages 349-352
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 362, 1 January 2013, Pages 349-352
نویسندگان
Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, D. Schulz, D. Klimm, M. Albrecht, M. Pietsch, S. Ganschow, A. Kwasniewski, R. Fornari,