کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791470 | 1524469 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We performed polytype-selective growth of 3C-SiC and 6H-SiC by controlling supersaturation. ⺠The growth rates of 3C-SiC and 6H-SiC had different dependences on supersaturation. ⺠3C-SiC grew covering the 6H-SiC seeds completely at a high supersaturation. ⺠Our kinetics-based polytype control is quite different from conventional technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 360, 1 December 2012, Pages 176-180
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 360, 1 December 2012, Pages 176-180
نویسندگان
Kazuaki Seki, Alexander Alexander, Shigeta Kozawa, Shunta Harada, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda,