کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791754 | 1023620 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scintillation properties of Ce doped Gd2Lu1(Ga,Al)5O12 single crystal grown by the micro-pulling-down method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Scintillation properties of Ce doped Gd2Lu1(Ga,Al)5O12 single crystal grown by the micro-pulling-down method Scintillation properties of Ce doped Gd2Lu1(Ga,Al)5O12 single crystal grown by the micro-pulling-down method](/preview/png/1791754.png)
چکیده انگلیسی
⺠Ce:Gd2Lu1(Ga,Al)5O12 single crystals were grown by the μ-PD method. ⺠Ce3+ 4f-5d emission is observed with 500-530 nm wavelength. ⺠The Ce1%:Gd2Lu1Ga3Al2O12 sample shows highest light yield of about 22,000 photon/MeV. Scintillation decay time was around 50 ns. ⺠The density is theoretically 6.88 g/cm3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 35-38
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 35-38
نویسندگان
Kei Kamada, Takayuki Yanagida, Jan Pejchal, Martin Nikl, Takanori Endo, Kousuke Tsutsumi, Yoshiyuki Usuki, Yutaka Fujimoto, Akihiro Fukabori, Akira Yoshikawa,