کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791762 1023620 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of quasi-phase matched GaP for nonlinear applications: Systematic process improvements
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Epitaxial growth of quasi-phase matched GaP for nonlinear applications: Systematic process improvements
چکیده انگلیسی
► We achieved fast, reproducible, thick epitaxial growth of GaP with high quality. ► We found the best orientation of substrate and pattern for making GaP OP-templates. ► We adapted MBE inversion and wafer fused bonding to prepare GaP OP-templates. ► We achieved vertical propagation of the domain walls for both types templates. ► We proved that by HVPE we can grow +350 μm thick high quality QPM GaP structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 72-77
نویسندگان
, , , , , , , , , , , , , , ,