کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791762 | 1023620 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of quasi-phase matched GaP for nonlinear applications: Systematic process improvements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We achieved fast, reproducible, thick epitaxial growth of GaP with high quality. ⺠We found the best orientation of substrate and pattern for making GaP OP-templates. ⺠We adapted MBE inversion and wafer fused bonding to prepare GaP OP-templates. ⺠We achieved vertical propagation of the domain walls for both types templates. ⺠We proved that by HVPE we can grow +350 μm thick high quality QPM GaP structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 72-77
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 72-77
نویسندگان
V. Tassev, M. Snure, R. Peterson, R. Bedford, D. Bliss, G. Bryant, M. Mann, W. Goodhue, S. Vangala, K. Termkoa, A. Lin, J.S. Harris, M.M. Fejer, C. Yapp, S. Tetlak,