کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1792964 1023662 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of Ge-diffusion-suppressed GaAs layers and InAs quantum dots on Ge/Si substrates
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Formation of Ge-diffusion-suppressed GaAs layers and InAs quantum dots on Ge/Si substrates
چکیده انگلیسی
Crystal growth of GaAs layers and InAs quantum dots (QDs) on the GaAs layers was investigated on Ge/Si substrates using ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Ga-rich GaAs with anti-site Ga atoms grown at a low V/III ratio was found to suppress the diffusion of Ge into GaAs. S-K mode QD formation was observed on GaAs layers grown on Ge/Si substrates with Ga-rich GaAs initial layers, and improved photoluminescence from 1.3 μm-emitting InAs QDs was demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 20, 1 October 2010, Pages 2919-2922
نویسندگان
, , , , ,