کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792964 | 1023662 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of Ge-diffusion-suppressed GaAs layers and InAs quantum dots on Ge/Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Crystal growth of GaAs layers and InAs quantum dots (QDs) on the GaAs layers was investigated on Ge/Si substrates using ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Ga-rich GaAs with anti-site Ga atoms grown at a low V/III ratio was found to suppress the diffusion of Ge into GaAs. S-K mode QD formation was observed on GaAs layers grown on Ge/Si substrates with Ga-rich GaAs initial layers, and improved photoluminescence from 1.3 μm-emitting InAs QDs was demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 20, 1 October 2010, Pages 2919-2922
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 20, 1 October 2010, Pages 2919-2922
نویسندگان
Kenichi Kawaguchi, Hiroji Ebe, Mitsuru Ekawa, Akio Sugama, Yasuhiko Arakawa,