کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793156 | 1023667 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE growth of PbSe thin film with a 9×105 cm−2 etch-pits density on patterned (1 1 1)-oriented Si substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: MBE growth of PbSe thin film with a 9×105 cm−2 etch-pits density on patterned (1 1 1)-oriented Si substrate MBE growth of PbSe thin film with a 9×105 cm−2 etch-pits density on patterned (1 1 1)-oriented Si substrate](/preview/png/1793156.png)
چکیده انگلیسی
PbSe thin film was grown on a patterned Si substrate with (1 1 1)-orientation by molecular-beam epitaxy (MBE). On the mesa, a low dislocation density of 9×105 cm−2 was confirmed by the etch-pits density (EPD) wet-etching technique. The photoluminescence (PL) intensity at room temperature from the low dislocation PbSe film was much higher than that from the PbSe film grown on the planar area, which further indicated the high-quality of PbSe thin film grown on patterned Si substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 19, 15 September 2010, Pages 2695–2698
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 19, 15 September 2010, Pages 2695–2698
نویسندگان
F. Zhao, J. Ma, B. Weng, D. Li, G. Bi, A. Chen, J. Xu, Z. Shi,