| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 1793180 | 1023667 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Growth and interface study of 2 in diameter CdZnTe by THM technique
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												Growth interface of large diameter CdZnTe ingots grown from Te solution by travelling heater method have been studied. Both macroscopic and microscopic investigations were carried out. The results indicated that the shape of the interface strongly governs the grain growth on the ingot, while the microscopic morphology of the growth interface is responsible for Te inclusions in the grown crystal.
ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 19, 15 September 2010, Pages 2840–2845
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 19, 15 September 2010, Pages 2840–2845
نویسندگان
												U.N. Roy, S. Weiler, J. Stein,