کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793401 | 1023675 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room temperature ferromagnetism and ferroelectricity behavior of (Cu, Li) co-doped ZnO films deposited by reactive magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Single-phase Zn0.95−xCuxLi0.05O thin films have been prepared on Pt (1 1 1)/Ti/SiO2 substrates by reactive magnetron sputtering method. The XRD, XPS and absorption measurements confirmed the polycrystalline nature of the films and the substitution of Zn2+ by Cu2+ ions. The sputtered Zn0.90Cu0.05Li0.05O film shows multiferroic properties exhibiting a saturated ferroelectric loop with a remanent polarization of 6 μC/cm2 and a saturated loop with a saturation magnetization of 0.43 μB/Cu at room temperature. The origins of the ferromagnetism and ferroelectricity in these films are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 7, 15 March 2010, Pages 906–909
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 7, 15 March 2010, Pages 906–909
نویسندگان
C.W. Zou, H.J. Wang, M.L. Yin, M. Li, C.S. Liu, L.P. Guo, D.J. Fu, T.W. Kang,