کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793572 | 1023679 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The Al-doping contents dependence of the crystal growth and energy band structure in Al:ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The Al-doping contents dependence of the crystal growth and energy band structure in Al:ZnO thin films The Al-doping contents dependence of the crystal growth and energy band structure in Al:ZnO thin films](/preview/png/1793572.png)
چکیده انگلیسی
We report the Al-doping contents dependence of crystal growth and energy band structure in Al:ZnO thin films on the quartz substrates by the sol–gel method. As the Al contents increase, the Al-doping in the lattice reveals a maximum while the dopant is 2 mol%. It is inferred that the doping deterioration attributes to the decrease of grain size, which might be induced by the pinning effect of amorphous Al2O3 on ZnO grains boundary. The blueshifts of optical bandgap imply the quantum size effect of crystallites and the Burstein–Moss shifts in photoluminescence spectra indicate the heavy doping level for all samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, Pages 2305–2308
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, Pages 2305–2308
نویسندگان
Jiaheng Wang, Lei Meng, Yang Qi, Maolin Li, Guimei Shi, Meilin Liu,