کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793626 | 1023680 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth behavior of faceted Si crystals in grain boundary formation during crystallization was studied by the in situ observation technique. We directly observed the transition of the shape of the growing interface just before the impingement of two crystals. It is found that when a crystal with a zigzag-shaped faceted interface encounters another crystal, {1 1 1} facet facing on the growing interface gradually disappears with the transition of the interfacial shape from zigzag to linear. This shape transition of the growing interface determines the grain boundary shape and grain boundary character.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 1, 15 December 2009, Pages 19–23
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 1, 15 December 2009, Pages 19–23
نویسندگان
K. Fujiwara, S. Tsumura, M. Tokairin, K. Kutsukake, N. Usami, S. Uda, K. Nakajima,