کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793679 | 1023681 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal growth and structural characterizations of Ce-doped Gd9.33(SiO4)6O2 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new type of scintillator crystal, Ce-doped Gd9.33(SiO4)6O2 (Ce:GSAP), was grown by the micro-pulling-down (μ-PD) method. Single-crystal structural analysis coupled with X-ray absorption near-edge structure (XANES) analysis clearly implied the preference of Ce3+ at the 6h site in the Ce:GSAP structure. The X-ray excited luminescence spectra showed a peak around 410 nm originating from the Ce3+ 5d–4f transition. The corresponding decay time estimated was about 25 ns.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 526–529
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 526–529
نویسندگان
Y. Ohgi, H. Kagi, H. Arima, A. Ohta, K. Kamada, A. Yoshikawa, K. Sugiyama,