کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793830 | 1023684 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-organic vapour phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Metal-organic vapour phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content Metal-organic vapour phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content](/preview/png/1793830.png)
چکیده انگلیسی
BInGaN quaternary alloys with up to 2% boron and 14% of indium have been grown on GaN/sapphire template substrates by metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE). Epitaxial layer composition was determined by secondary ion mass spectroscopy (SIMS), and confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Bandgap energies were measured using optical transmission and reflection spectroscopy. We find that boron incorporation in BInGaN reduces the bandgap, causing an effect similar to the increase of indium content in InGaN. However, adding boron has the advantage of decreasing the lattice mismatch with conventional GaN substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 5, 15 February 2010, Pages 641–644
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 5, 15 February 2010, Pages 641–644
نویسندگان
S. Gautier, G. Orsal, T. Moudakir, N. Maloufi, F. Jomard, M. Alnot, Z. Djebbour, A.A. Sirenko, M. Abid, K. Pantzas, I.T. Ferguson, P.L. Voss, A. Ougazzaden,