کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794352 | 1023695 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pressure-dependent real-time investigations on the rapid thermal sulfurization of Cu–In thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Pressure-dependent real-time investigations on the rapid thermal sulfurization of Cu–In thin films Pressure-dependent real-time investigations on the rapid thermal sulfurization of Cu–In thin films](/preview/png/1794352.png)
چکیده انگلیسی
Rapid thermal processing (RTP) under high sulfur partial pressure of copper rich Cu–In alloy thin films is investigated using in situ energy dispersive X-ray diffraction (EDXRD). Cu–In precursors are sulfurized at S vapor pressures in the 1 mbar range. Diffraction of white synchrotron light and recording of EDXRD spectra every 10 s at the EDDI beamline of the BESSY facility is used to monitor in situ the solid phases during the sulfurization and the subsequent cool-down. Ternary CuInS2 forms via the binary InS and CuS and the ternary CuIn5S8 phases. The concentration of copper in the secondary Cu2−xS phase, which segregates on the surface of the CuInS2, shows a strong dependence on the maximum sulfur pressure during the RTP-like process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 15, 15 July 2008, Pages 3638–3644
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 15, 15 July 2008, Pages 3638–3644
نویسندگان
H. Rodriguez-Alvarez, I.M. Kötschau, H.W. Schock,