کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794849 | 1023709 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InN excitonic deformation potentials determined experimentally
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the experimental determination of the interband deformation potentials of indium nitride by combining both optical spectroscopy investigations and high-resolution X-ray measurements performed on a series of InN films grown by metal organic vapour-phase epitaxy. Our approach, which follows the one used for GaN by Shan et al. [Phys. Rev. B. 54 (1996) 13460], gives here for InN a1=−7.66 eV, a2=−2.59 eV, b1=5.06 eV, and b2=−2.53 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2798–2801
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2798–2801
نویسندگان
B. Gil, M. Moret, O. Briot, S. Ruffenach, Ch. Giesen, M. Heuken, S. Rushworth, T. Leese, M. Succi,