کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795027 | 1023712 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis and analysis of resistance-controlled Ga-doped ZnO nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have synthesized the resistance-controlled Ga-doped ZnO nanowires employing self-designed hot-walled pulsed laser deposition, and investigated the status of the Ga-doping highlighting the chemical structure change, the stack-structured morphology, and the optical property of the nanowires. Especially the chemical structure is quantitatively evaluated, verifying that the substitutional Ga atoms and oxygen vacancies are proportional to the Ga-doping concentration. The resultant data of the controlled resistance ranging from 1.6 to 70 MΩ are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 20, 1 October 2008, Pages 4477–4480
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 20, 1 October 2008, Pages 4477–4480
نویسندگان
Sang Yeol Lee, Yong-Won Song, Kyung Ah Jeon,