کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795198 | 1023718 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of As-doped ZnO films synthesized via thermal annealing of ZnSe/GaAs heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We synthesized ZnO films via oxidative annealing of ZnSe/GaAs heterostructures and investigated their structural and optical properties. Films were polycrystalline, c-axis oriented and exhibited superior optical properties. In addition, we detected nanometer-size As clusters into the ZnO film and a GaxOy layer at the ZnO/GaAs interface. Formation of an interfacial layer can prevent use of this technique for p-type doping and complicates identification of the origin of p-type response in the annealed ZnO/GaAs heterostructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 13, 15 June 2008, Pages 3149-3153
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 13, 15 June 2008, Pages 3149-3153
نویسندگان
O. Maksimov, B.Z. Liu,