کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795283 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Endotaxy of MnSb into GaSb
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
MnSb deposited on GaSb(0 0 1) by molecular beam epitaxy (MBE) is found to separate into disconnected volumes penetrating into the substrate. The MnSb nanocrystals formed in this way are single crystals having a strongly preferred alignment with the substrate matrix and a flat top coplanar with the substrate surface. This endotaxial growth mode opens up new possibilities for self-assembled fabrication of thermodynamically stable micro- and nanostructures. It demonstrates that atoms deep inside the substrate can become mobile during MBE growth, allowing the investigation and design of new approaches to self-assembled growth that utilize bulk migration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 50–53
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 50–53
نویسندگان
Wolfgang Braun, Achim Trampert, Vladimir M. Kaganer, Bernd Jenichen, Dillip K. Satapathy, Klaus H. Ploog,