کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795284 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atmospheric oxygen in Mn doped GaAs/GaAs(0Â 0Â 1) thin films grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Mn doped GaAs thin films were grown using molecular beam epitaxy at high and low substrate temperatures. The elemental concentration depth profiles in the thin films were determined by using Auger electron spectroscopy combined with ion etching. The Mn concentration is higher near the surface and then decreases with depth for films grown at high substrate temperatures. The Mn concentration profile is much more uniform when films are grown using a low substrate temperature. What was unexpectedly found are high levels of oxygen in the low substrate temperature grown thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 54-57
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 54-57
نویسندگان
J.F. Xu, P.M. Thibado, C. Awo-Affouda, R. Moore, V.P. LaBella,