کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795843 | 1023730 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of SrMoO4 thin films on Si substrates by chemical solution deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Crystallized SrMoO4 thin films were prepared on (1 0 0)-oriented Si substrates by chemical solution deposition (CSD) method. The effects of the processing parameters on the growth of the films were investigated. Dense scheelite-type SrMoO4 thin films could be prepared when calcined between 350 and 800 °C. The absorption band related to vibration mode of MoO42− tetrahedra in Fourier transform infrared (FT-IR) spectra of SrMoO4 thin films annealed at 350–900 °C was observed that undoubtedly confirmed the appearance of SrMoO4 phase. The results showed that CSD method could be used to prepare SrMoO4 thin films at rather low temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 4, 15 February 2008, Pages 789–793
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 4, 15 February 2008, Pages 789–793
نویسندگان
Hechang Lei, Xuebin Zhu, Yuping Sun, Wenhai Song,