کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796026 | 1023733 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of nitride surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a systematic and comprehensive computational study of reconstructed GaN and InN surfaces in various orientations, including the polar c plane as well as the nonpolar a and m planes. Two distinct microscopic origins for Fermi-level pinning are identified, depending on surface stoichiometry and surface polarity. We also explain the source of the electron accumulation that has been universally observed at InN surfaces. We predict that such a charge accumulation will be absent on the nonpolar surfaces of InN, when prepared under specific conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 199–203
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 199–203
نویسندگان
David Segev, Chris G. Van de Walle,