کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796954 | 1524486 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compositional plane of a wide-gap semiconductor CaCdSeS lattice-matched to InP and GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated compositional plane of a wide band gap solid solution semiconductor Ca1âxCdxSe1âySy (x⩽0.32) using powder synthesis under thermal equilibrium condition. The solubility limit at 1273 K varies with respect to the Se concentration y, taking a minimum Cd solubility limit of 0.12 at y=0.8 and a maximum limit of 0.32 at y=1.0. It is found that the system can be lattice-matched to GaAs and InP under covering the energy band gap of ultraviolet-visible region. These results allow to design optoelectronic devices adopting the Ca1âxCdxSe1âySy system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 2, 1 May 2006, Pages 388-391
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 2, 1 May 2006, Pages 388-391
نویسندگان
S. Abe, K. Masumoto,