کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1808191 1525148 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles study of anharmonic phonon effects in tetrahedral semiconductors via an external electric field
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه اولی از اثرات فونون انارمونیک در نیمه هادی های چهارگوش از طریق میدان الکتریکی خارجی
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
استحکام انحرافیت فونون در چارچوب نظریه اختلال عملکردی تراکم از طریق میدان الکتریکی ثابت استفاده شده است. در مقایسه با رویکردهای معمول، میدان الکتریکی به عنوان یک پروب مؤثر برای تلاش پس از اثرات شبه هارمونیک و انارمونیک مورد استفاده قرار گرفته است. دو نیمه هادی معمولی (الماس و سیلیکون) برای آزمایش بازدهی این روش انتخاب شده اند. در این طرح زمینه کاربردی مسئول ایجاد صدمات و همچنین ایجاد انحرافی در سیستم است. قطبی شدن القا شده در نتیجه تغییر چگالی الکترونیکی است، در حالی که یون ها در مختصات موقعیت زمین خود یا در یک سویه مشخص قرار دارند. با استفاده از این روش، مقادیر فیزیکی نیمه هادی ها به صورت مستقیم به طور مستقیم در تعامل الکترون-فونون و تعامل فونون-فونون به طور غیر مستقیم محاسبه می شود. رویکرد حاضر، که در توافق خوب با مطالعات نظری و تجربی قبلی است، می تواند به عنوان یک معیار برای بررسی سلیقه های انحرافی و پیامدهای مربوطه در مواد معرفی شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش مقاله
مطالعه اولی از اثرات فونون انارمونیک در نیمه هادی های چهارگوش از طریق میدان الکتریکی خارجی
چکیده انگلیسی
The strength of phonon anharmonicity is investigated in the framework of the Density Functional Perturbation Theory via an applied constant electric field. In contrast to routine approaches, we have employed the electric field as an effective probe to quest after the quasi-harmonic and anharmonic effects. Two typical tetrahedral semiconductors (diamond and silicon) have been selected to test the efficiency of this approach. In this scheme the applied field is responsible for establishing the perturbation and also inducing the anharmonicity in systems. The induced polarization is a result of changing the electronic density while ions are located at their ground state coordinates or at a specified strain. Employing this method, physical quantities of the semiconductors are calculated in presence of the electron-phonon interaction directly and, phonon-phonon interaction, indirectly. The present approach, which is in good agreement with previous theoretical and experimental studies, can be introduced as a benchmark to simply investigate the anharmonicity and pertinent consequences in materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 501, 15 November 2016, Pages 95-100
نویسندگان
, , ,