کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1808248 | 1525151 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of a perfect CVD diamond Schottky diode steep forward current–voltage characteristic
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulation of a perfect CVD diamond Schottky diode steep forward current–voltage characteristic Simulation of a perfect CVD diamond Schottky diode steep forward current–voltage characteristic](/preview/png/1808248.png)
چکیده انگلیسی
The kinetic equation approach to the simulation of the perfect CVD diamond Schottky diode current–voltage characteristic is considered. In result it is shown that the latter has a significantly steeper forward branch than that of perfect devices of such a type on usual semiconductors. It means that CVD diamond-based Schottky diodes have an important potential advantage over analogous devices on conventional materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 498, 1 October 2016, Pages 1–6
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 498, 1 October 2016, Pages 1–6
نویسندگان
V.A. Kukushkin,