کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1808248 | 1525151 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of a perfect CVD diamond Schottky diode steep forward current–voltage characteristic
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The kinetic equation approach to the simulation of the perfect CVD diamond Schottky diode current–voltage characteristic is considered. In result it is shown that the latter has a significantly steeper forward branch than that of perfect devices of such a type on usual semiconductors. It means that CVD diamond-based Schottky diodes have an important potential advantage over analogous devices on conventional materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 498, 1 October 2016, Pages 1–6
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 498, 1 October 2016, Pages 1–6
نویسندگان
V.A. Kukushkin,