کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1808637 | 1525162 | 2016 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of impurity size and heavy doping on energy-band-structure parameters of various impurity-Si systems
ترجمه فارسی عنوان
اثرات اندازه ناخالصی و دوپینگ سنگین بر پارامترهای ساختار باند انرژی در سیستم های مختلف ناخالصی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
تاثیر اندازه ناخالصی، اثر دوپینگ سنگین، انتقال فلز مقره، ثابت های دی الکتریک موثر، موثر شکاف باند درونی، شکاف باند نوری،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The effects of impurity size and heavy doping on energy-band-structure parameters of various donor (or acceptor)-Si systems were investigated. A satisfactory description was obtained for intrinsic properties such as: the effective dielectric constant, effective impurity ionization energy, effective intrinsic band gap, being doping-independent, and critical impurity density, Ncn(cp)GMM, which is derived from our simple generalized Mott model (GMM), as well as for extrinsic properties such as: the Fermi energy, reduced band gap, optical band gap, being doping-dependent, and critical impurity density, Ncn(cp)SSS, which is determined by our complicated spin-susceptibility-singularity (SSS) method. That gives: Ncn(cp)SSS â¡Ncn(cp)GMM for all the studied donor (or acceptor)-Si systems.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 487, 15 April 2016, Pages 90-101
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 487, 15 April 2016, Pages 90-101
نویسندگان
H. Van Cong,