کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1809241 1525188 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phonon emission in a degenerate semiconductor at low lattice temperatures
ترجمه فارسی عنوان
انتشار فونون در یک نیمه هادی تشدید شده در دمای پایین شبکه
کلمات کلیدی
نیمه هادی پیشرفته رشد فونون، دمای پایین،
ترجمه چکیده
خصوصیات رشد فونون در یک نیمه هادی ناپایدار در دماهای کم شبکه ای برای تعامل ناپذیری الکترونی غیر تعادل با فونون های آکوستیک داخل درونی مورد مطالعه قرار گرفته است. انرژی فونون و شکل کامل توزیع فونون در نظر گرفته شده است. نتایج نشان می دهد تغییرات قابل توجهی در ویژگی های رشد در مقایسه با یکسان برای ماده غیر غوطه ور است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش مقاله
انتشار فونون در یک نیمه هادی تشدید شده در دمای پایین شبکه
چکیده انگلیسی
The characteristics of phonon growth in a degenerate semiconductor at low lattice temperatures have been studied for inelastic interaction of non-equilibrium electrons with the intravalley acoustic phonons. The energy of the phonon and the full form of the phonon distribution are taken into account. The results reveal significant changes in the growth characteristics compared to the same for a non-degenerate material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 458, 1 February 2015, Pages 18-21
نویسندگان
, , ,