کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1809615 | 1525205 | 2014 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermoelectric properties of transmutation doped silicon crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper describes a method for determining the anisotropy parameter of thermoelectromotive force of electron-phonon drag (M) by deformation of n-Si in direction [001]; the experimental data on measuring of temperature dependence of the Hall effect, charge carrier lifetime, tensoresistance and tenso-thermoelectromotive force of transmutation doped n-Si crystals, which subjected to high-temperature annealing at T=1473K during 2 and 72 h, and cooled from the annealing temperature to the room one with 1, 15, 1000 K/min rates, were presented. It is shown that the anisotropy of drag thermoelectromotive force is greatly increased in the experiments with the transmutation doped silicon at 85 K, Xâ//âT//[001](Xâ¥0.6GPa) due to the action of high-temperature annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 441, 15 May 2014, Pages 80-88
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 441, 15 May 2014, Pages 80-88
نویسندگان
G.P. Gaidar, P.I. Baranskii,