کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1809719 | 1525204 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Freak waves in GaAs semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The nonlinear freak wave in electron-hole quantum GaAs semiconductor plasma is investigated via a nonlinear Schrödinger equation (NLS) equation. The latter contains the contributions of the electron and hole quantum recoil effects, quantum statistical pressures, as well as exchange and correlation effects. Typical values for GaAs semiconductor are used to estimate the profile of the nonlinear freak waves.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 442, 1 June 2014, Pages 114-117
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 442, 1 June 2014, Pages 114-117
نویسندگان
Nabila A. El-Bedwehy,