کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1809742 | 1525215 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interfacial potentials for Ag/GaN(0Â 0Â 0Â 1) interfaces by inversion of adhesive energy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
To study the metal/semiconductor interface by means of atomistic simulation, an effective interfacial potential is an important issue. In this work, we use a Chen-Möbius inversion method to study the Ag/GaN(0Â 0Â 0Â 1) interface, and get a concise and general inversion formula, which is used to extract interfacial potentials for the Ag(1Â 1Â 1)/GaN(0Â 0Â 0Â 1) interface derived from ab initio adhesive energies. Transferability of those potentials at different environment are checked, and the result show that the inversed potentials are self-consistent and also partially transferable.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 431, 15 December 2013, Pages 97-101
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 431, 15 December 2013, Pages 97-101
نویسندگان
Hong-Quan Song, Jiang Shen, Ping Qian, Nan-Xian Chen,